蒸發(fā)水熱兩步生長(zhǎng)銻基薄膜材料的方法和薄膜太陽(yáng)電池
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110132481.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112968128A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112968128A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-15 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L51/42（2006.01）I;H01L51/48（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C14/24（2006.01）I;C23C18/12（2006.01）I;C23C28/04（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李海明;馮新文;張俊雙;姜磊;站文華;郭洪武;周靜;曹宇 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 國(guó)網(wǎng)內(nèi)蒙古東部電力有限公司赤峰供電公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 天津市北洋有限責(zé)任專(zhuān)利代理事務(wù)所 | 代理人 | 杜文茹 |
| 地址 | 100031北京市西城區(qū)西長(zhǎng)安街86號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種蒸發(fā)水熱兩步生長(zhǎng)銻基薄膜材料的方法和薄膜太陽(yáng)電池，蒸發(fā)/水熱兩步生長(zhǎng)銻基薄膜材料的方法，是采用蒸發(fā)/水熱兩步法制備銻基電子傳輸吸光薄膜，所述的銻基電子傳輸吸光薄膜是Sb2S3電子傳輸吸光薄膜、Sb2Se3電子傳輸吸光薄膜和Sb2S3/Sb2Se3漸變帶隙電子傳輸吸光薄膜中的一種。一種采用銻基薄膜材料制備的銻基薄膜太陽(yáng)電池，包括有依次疊放的銻基電子傳輸吸光薄膜、空穴傳輸層和金屬電極層。本發(fā)明先用快速熱蒸發(fā)法生長(zhǎng)銻基薄膜，之后采用水熱法完成后續(xù)薄膜的生長(zhǎng)。通過(guò)水熱法繼續(xù)生長(zhǎng)的銻基薄膜表面平整致密，可以起到鈍化銻基薄膜表面缺陷和優(yōu)化界面特性的效果，有效的解決了因快速熱蒸發(fā)法所造成的薄膜表面起伏度高，不平整的問(wèn)題。 |
