一種碳化硅原料合成爐的熱場及合成爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011350688.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112725903A 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN112725903A 申請公布日 2021-04-30
分類號 C30B35/00;C30B29/36 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李輝;楊茜;毛瑞川;葉迎海;郭志強;逯文東 申請（專利權）人 南京晶升裝備股份有限公司
代理機構 南京蘇高專利商標事務所（普通合伙） 代理人 張弛
地址 211113 江蘇省南京市南京經濟技術開發(fā)區(qū)紅楓科技園B4棟西側
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳化硅原料合成爐的熱場，包括坩堝主加熱器、輔加熱器、保護筒及氣路管，該保護筒包括圍繞坩堝周向的保護筒側壁、位于坩堝底部下方的保護筒底壁位于坩堝頂部的頂蓋，其中保護筒側壁位于坩堝與主加熱器之間，保護筒底壁位于輔加熱器與坩堝底之間；本發(fā)明的熱場可以使原料在圓周方向及底部區(qū)域都均勻受熱，避免局部過熱或過冷的情況，具有更好的溫度均勻性，熱場性能加穩(wěn)定，提高了熱效率。石墨保護筒將加熱器與粉料隔離，保護加熱器在使用過程中不受污染，延長加熱器壽命。本發(fā)明還提供了一種合成爐，具有上述技術方案中的熱場。