一種半導(dǎo)體硅材料晶體生長的圖像識別控制方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201911354459.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN110983432B | 公開（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申請公布號 | CN110983432B | 申請公布日 | 2021-04-06 |
| 分類號 | C30B15/26(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 李輝;張熠;穆童;秦英謖;毛洪英 | 申請（專利權(quán)）人 | 南京晶升裝備股份有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 張弛 |
| 地址 | 211113 江蘇省南京市南京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)紅楓科技園B4棟西側(cè) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體硅材料晶體生長的圖像識別控制方法，在坩堝上方設(shè)有三個攝像機，以計算機測量圖像中固相硅的面積，通過攝像機及計算機實時測量液面狀況，當(dāng)發(fā)現(xiàn)液面出現(xiàn)液態(tài)和固態(tài)的變動就會給PLC發(fā)出信號，讓PLC判斷液面熔化情況和晶體結(jié)晶，當(dāng)熔化完成，自動切換到生長狀態(tài)，當(dāng)生長完成，自動切換至退火狀態(tài)，完全不用人工介入，避免由于人工介入誤操作引起的良率損失。本發(fā)明能夠直接準(zhǔn)確測量晶體熔化速度和晶體結(jié)晶速度，提供硅材料生長過程中的數(shù)據(jù)，真正實現(xiàn)全工藝過程自動化進行。?? |
