一種基于氮化鎵工藝集成電路的輸出級(jí)電路及其級(jí)聯(lián)應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110441987.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113179095A 公開（公告）日 2021-07-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN113179095A 申請(qǐng)公布日 2021-07-27
分類號(hào) H03K19/003;H03K17/04;H03K17/687;H02M1/088;H02M3/158 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 鄭逸飛;周琦;祝靖;張偉;陸兆俊;施剛;吳天陽(yáng);余思遠(yuǎn) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫安趨電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 奚幼堅(jiān)
地址 214028 江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)清源路18號(hào)A區(qū)503
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種基于氮化鎵工藝集成電路的輸出級(jí)電路及其級(jí)聯(lián)應(yīng)用，包括自舉單元和圖騰柱式輸出單元，自舉單元包括氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管M1和M2，氮化鎵阻性器件R1和R2，氮化鎵工藝電容C1和氮化鎵二極管D1；M1的漏極連接R1的一端和電容C1的一端，R1的另一端連接電源VDD，M1的柵極連接控制信號(hào)IN1，M1、M2的源極接地，M2的柵極連接控制信號(hào)IN2,M2的漏極連接R2的一端并作為自舉單元的輸出端連接圖騰柱式輸出單元中M4的柵極，R2的另一端連接電容C1的另一端和二極管D1的負(fù)極，二極管D1的正極連接電源VDD。將一個(gè)以上的基于氮化鎵工藝集成電路的輸出級(jí)電路級(jí)聯(lián)，適用于驅(qū)動(dòng)大尺寸圖騰柱式輸出結(jié)構(gòu)的場(chǎng)合。