柵控二極管整流器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111389575.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113823679A 公開(kāi)（公告）日 2021-12-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN113823679A 申請(qǐng)公布日 2021-12-21
分類(lèi)號(hào) H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖天;高巍;顧航;戴茂州 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 成都蓉矽半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都點(diǎn)睛專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 敖歡
地址 610041四川省成都市中國(guó)（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)天府大道中段1366號(hào)2棟9樓12-18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種柵控二極管整流器，包括金屬化陰極，重?fù)诫s第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底層，第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移層，P型基區(qū)，N+源區(qū)和柵極結(jié)構(gòu)；所述柵極結(jié)構(gòu)為平面柵結(jié)構(gòu)，包括柵氧化層，多晶硅層和金屬化陽(yáng)極，其中，柵氧化層覆蓋于第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移層之上，其在橫向上覆蓋了MCR器件的溝道區(qū)與部分N+源區(qū)上表面，多晶硅層覆蓋于柵氧化層之上，金屬化陽(yáng)極覆蓋于多晶硅層與第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移層之上；金屬化陽(yáng)極與P型基區(qū)接觸形成肖特基接觸區(qū)，本發(fā)明通過(guò)陽(yáng)極金屬與P型基區(qū)的特殊接觸，增加了PN結(jié)的導(dǎo)通壓降，使得器件導(dǎo)通時(shí)工作在單極模式，降低了器件的反向恢復(fù)時(shí)間和電荷，減小了系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)損耗。