一種高熱導率氮化硅陶瓷及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910763884.9 申請日 -
公開（公告）號 CN110483060B 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN110483060B 申請公布日 2021-09-07
分類號 C04B35/584;C04B35/622;C04B35/64 分類 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
發(fā)明人 楊大勝;施純錫 申請（專利權）人 福建華清電子材料科技有限公司
代理機構 泉州市誠得知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 賴開慧
地址 362200 福建省泉州市晉江市五里工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及陶瓷材料制備技術領域，提供一種高熱導率氮化硅陶瓷及其制備方法，解決現有技術氮化硅陶瓷熱導率不高的問題。所述氮化硅陶瓷包括：氮化硅60～90份、碳化硅8～12份、稀土氯化物3～5份、氟化鐿0.2～1份、氮化鋯0.5～2份、分散劑5～10份。本發(fā)明添加稀土氯化物在不額外引入氧的情況下，提高了氮化硅粉體的燒結活性，實現氮化硅陶瓷的致密化；氟化鐿可以促進Si和N的擴散，且與氮化硅晶格內的氧雜質反應，從而有效地降低氮化硅晶格溶解氧含量，提高氮化硅熱導率；氮化鋯中的鋯離子對氧具有很強的親和力，可以吸收部分晶格內的氧雜質。稀土氯化物、氟化鐿及氮化鋯相互配合，還可以增加氮化硅晶粒的尺寸，排出氧雜質。