一種基于GaAs襯底制備InP薄膜的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111325697.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114134565A 公開（公告）日 2022-03-04
申請公布號 CN114134565A 申請公布日 2022-03-04
分類號 C30B25/18（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 徐鵬飛;王巖;羅帥;季海銘 申請（專利權(quán)）人 江蘇華興激光科技有限公司
代理機構(gòu) 武漢江楚智匯知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄧寅杰
地址 221300江蘇省徐州市邳州市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)遼河西路北側(cè)、華山北路西側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于GaAs襯底制備InP薄膜的方法，包括以下步驟：（1）選擇一GaAs襯底；（2）在GaAs襯底上生長GaAs緩沖層；（3）在GaAs緩沖層上制備復合緩沖層，復合緩沖層由石墨烯層和GaxIn1?xP材料層交替生長形成，最下層為石墨烯層，最上層為GaxIn1?xP材料層；（4）在復合緩沖層上生長InP薄膜。本發(fā)明基于單晶GaAs襯底，采用石墨烯和帶有均勻分布納米柱結(jié)構(gòu)的GaxIn1?xP材料相結(jié)合的復合緩沖層制備InP薄膜，可消除在GaAs襯底上外延生長InP材料層時產(chǎn)生的失配應(yīng)力，降低材料層缺陷密度，改善InP薄膜的晶體質(zhì)量。本發(fā)明可以基于技術(shù)成熟、成本較低的GaAs襯底來制備InP材料，最終實現(xiàn)在GaAs襯底上制備InP光電子器件。