一種硅基多結(jié)太陽電池及其漸變緩沖層

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111325702.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114171615A 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN114171615A 申請公布日 2022-03-11
分類號 H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/0336（2006.01）I;H01L31/0687（2012.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐鵬飛;王巖;羅帥;季海銘 申請（專利權(quán)）人 江蘇華興激光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 武漢江楚智匯知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄧寅杰
地址 221300江蘇省徐州市邳州市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)遼河西路北側(cè)、華山北路西側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅基多結(jié)太陽電池及其漸變緩沖層，漸變緩沖層由石墨烯層和不同組分的III?V族化合物層交替生長而成，硅基多結(jié)太陽電池包括Si襯底，在Si襯底的上表面按照層狀疊加結(jié)構(gòu)從下至上依次設(shè)置有Si子電池、漸變緩沖層、第一隧道結(jié)、AlGaAs子電池、第二隧道結(jié)和AlGaInP子電池。本發(fā)明硅基多結(jié)太陽電池利用III?V族化合物材料與石墨烯相結(jié)合的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的漸變緩沖層可消除晶硅襯底上GaAs、AlGaAs、AlGaInP等材料層受到的失配應(yīng)力，降低材料層缺陷密度，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。