一種1342納米波長大功率微結(jié)構(gòu)DFB激光器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111293304.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114188819A 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN114188819A 申請公布日 2022-03-15
分類號 H01S5/12（2021.01）I;H01S5/343（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐鵬飛;王文知;王巖;羅帥;季海銘 申請（專利權(quán)）人 江蘇華興激光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 江蘇長德知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 詹朝
地址 221300江蘇省徐州市邳州經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)遼河西路北側(cè)、華山北路西側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種1342納米波長大功率微結(jié)構(gòu)DFB激光器，采用滿足1342納米發(fā)射波長需要的量子阱結(jié)構(gòu)，通過微結(jié)構(gòu)與普通分布反饋光柵結(jié)合，實(shí)現(xiàn)單模工作，進(jìn)一步引入多層稀釋波導(dǎo)結(jié)構(gòu)擴(kuò)大光功率輸出，滿足了大功率輸出需要，在不增加工藝難度的基礎(chǔ)上大幅度提高器件成品率。解決了通常的半導(dǎo)體DFB邊發(fā)射激光器由于采用均勻光柵周期折射率導(dǎo)引而使得會有雙模激射或者單模成品率較低的現(xiàn)象，為了提高單模產(chǎn)出會引入相移，大幅度增加工藝難度和成本的問題，同時(shí)解決了常規(guī)的DFB結(jié)構(gòu)由于光模式體積所限容易飽和，不利于大功率輸出的問題，使得本發(fā)明的激光器可面向50G PON硅光應(yīng)用，具有很強(qiáng)的實(shí)用性和廣泛的適用性。