無制冷抗反射InP基量子點/量子阱耦合EML外延片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111293051.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114188823A 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN114188823A 申請公布日 2022-03-15
分類號 H01S5/343（2006.01）I;H01S5/12（2021.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王巖;徐鵬飛;羅帥;季海銘 申請（專利權(quán)）人 江蘇華興激光科技有限公司
代理機構(gòu) 江蘇長德知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 詹朝
地址 221300江蘇省徐州市邳州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)遼河西路北側(cè)、華山北路西側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 無制冷抗反射InP基量子點/量子阱耦合EML外延片的制備方法，對基于InP襯底的量子點激光器內(nèi)的量子點層疊區(qū)域，增設(shè)同由歐姆接觸層覆蓋的且與量子點層疊區(qū)域水平耦合的量子阱電吸收調(diào)制區(qū)。其為通過分子束外延或金屬有機化學(xué)氣相沉積制備的、采用對接生長方式將量子點分布反饋激光器和量子阱電吸收調(diào)制器進(jìn)行集成生長成的電吸收調(diào)制激光器；該電吸收調(diào)制激光器將量子點激光器優(yōu)異的抗反射及高溫度穩(wěn)定性的特點和量子阱電吸收調(diào)制器高調(diào)制速率的特性結(jié)合，實現(xiàn)在無光隔離器、無制冷條件下5?75℃的穩(wěn)定工作。制備方法的步驟清晰簡單，易操作，制備的電吸收調(diào)制激光器效果好，性能穩(wěn)定，可持續(xù)工作，具有很強的實用性和廣泛的適用性。