磷酸鈷-聚多巴胺-釩酸鉍三元復(fù)合光電極的制備方法及應(yīng)用
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910196016.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN110042407B | 公開(公告)日 | 2020-12-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110042407B | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-18 |
| 分類號(hào) | C25B1/04;C25B11/06;C25D9/04;B01J31/36;B01J35/00 | 分類 | 電解或電泳工藝;其所用設(shè)備〔4〕; |
| 發(fā)明人 | 白紅葉;高楊;范偉強(qiáng);白亞杰;崔偉成;孫東甜;劉穎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江陰智產(chǎn)匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)運(yùn)營(yíng)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 214400 江蘇省無(wú)錫市江陰市澄江中路159號(hào)D501-3 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明屬于光電極納米材料合成技術(shù)領(lǐng)域,涉及復(fù)合光電極,尤其涉及一種磷酸鈷?聚多巴胺?釩酸鉍(Co?Pi/PDA/BiVO4)三元復(fù)合光電極的制備方法。本發(fā)明首先采用電沉積在FTO表面生長(zhǎng)一層均勻BiOI納米顆粒,經(jīng)高溫煅燒生成釩酸鉍;通過(guò)化學(xué)水浴法在釩酸鉍上生長(zhǎng)聚多巴胺(PDA),同時(shí)以PDA為功能性橋梁引進(jìn)磷酸鈷助催化劑,經(jīng)化學(xué)水浴法將PDA/BiVO4電極浸沒(méi)于硝酸鈷和磷酸鈉水溶液,在聚多巴胺上生長(zhǎng)磷酸鈷助催化劑,制得磷酸鈷?聚多巴胺?釩酸鉍光電極。本發(fā)明合成工藝簡(jiǎn)單,重復(fù)性好,所用材料價(jià)廉易得,符合環(huán)境友好要求,利用簡(jiǎn)單的電沉積、高溫煅燒、化學(xué)浴沉積法所制備的Co?Pi/PDA/BiVO4復(fù)合光電極,具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性,光電化學(xué)性能好,光電轉(zhuǎn)換效率高達(dá)27%。 |





