半導(dǎo)體制程中鋁硅接面的實時監(jiān)測方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410709841.X 申請日 -
公開（公告）號 CN104465442A 公開（公告）日 2015-03-25
申請公布號 CN104465442A 申請公布日 2015-03-25
分類號 H01L21/66(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊;陳俊峰;周雯 申請（專利權(quán)）人 廈門訊揚電子科技有限公司
代理機構(gòu) 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海芯亮電子科技有限公司;廈門訊揚電子科技有限公司
地址 200233 上海市徐匯區(qū)虹漕路461號56幢8層E室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體制程中鋁硅接面的實時監(jiān)測方法，包括以下步驟：步驟一，在襯底上依次形成絕緣層、氧化層、金屬層，在金屬層上形成第一護層；步驟二，在第一護層上形成第二護層；步驟三，利用遮光罩進行顯影并蝕刻一個凹槽，凹槽穿過第一護層、第二護層后延伸到金屬層中；步驟四，根據(jù)第一護層和金屬層之間的連接面的表面情況識別出制程、機臺是否正常。本發(fā)明可以在半導(dǎo)體制程中及時發(fā)現(xiàn)鋁硅接面異常，降低成本和因工藝異常所造成的損失。