改善SiC熱氧化后的界面態(tài)的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510091817.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104716045A 公開(kāi)（公告）日 2015-06-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN104716045A 申請(qǐng)公布日 2015-06-17
分類(lèi)號(hào) H01L21/336(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊;胡建國(guó);周雯 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 廈門(mén)訊揚(yáng)電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭國(guó)中
地址 200233 上海市徐匯區(qū)虹漕路461號(hào)56幢8層E室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種改善SiC熱氧化后的界面態(tài)的制造方法，包括以下步驟：步驟一，定義硅晶圓底材MOSFET工藝制程；步驟二，定義植入了低溫H2或N2/H2退火工藝方法的硅晶圓底材MOSFET工藝制程用于碳化硅底材MOSFET工藝制程。本發(fā)明使SiC/SiO2界面態(tài)達(dá)到相當(dāng)于Si/SiO2界面態(tài)密度，進(jìn)而改善并提高SiC_MOSFET器件應(yīng)用性能。