降低功率晶體管導(dǎo)通電阻的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410843907.4 申請日 -
公開（公告）號 CN104538308A 公開（公告）日 2015-04-22
申請公布號 CN104538308A 申請公布日 2015-04-22
分類號 H01L21/336(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊;陳俊峰;周雯 申請（專利權(quán)）人 廈門訊揚電子科技有限公司
代理機構(gòu) 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭國中
地址 200233 上海市徐匯區(qū)虹漕路461號56幢8層E室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種降低功率晶體管導(dǎo)通電阻的方法，其包括以下步驟：步驟一，多晶硅沉積，以作為閘極控制導(dǎo)電層；步驟二，多晶硅曝光，顯影及蝕刻以將閘極的設(shè)計形貌、圖案定義完成；步驟三，多晶硅薄氧化，以形成保護(hù)膜并且消除蝕刻過程中所造成的傷害；步驟四，氧化層蝕刻，控制蝕刻厚度為1200埃，以作為源極離子植入硅襯底的表面保護(hù)；步驟五，源極離子植入，以定義源極并提供足夠的摻雜濃度。本發(fā)明可以提供一個均勻的導(dǎo)通電阻，消除因局部高電阻區(qū)域造成組件可靠度的問題。