功率元件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201420736122.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN204257623U 公開（公告）日 2015-04-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN204257623U 申請(qǐng)公布日 2015-04-08
分類號(hào) H01L23/485(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊;陳俊峰;周雯 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門訊揚(yáng)電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海芯亮電子科技有限公司;廈門訊揚(yáng)電子科技有限公司
地址 200233 上海市徐匯區(qū)虹漕路461號(hào)56幢8層E室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種功率元件，包括氧化層、多晶硅柵層、絕緣層、金屬層、第一護(hù)層、第二護(hù)層、P型阱、N+摻雜層、P+摻雜層、襯底、凹槽，P型阱位于襯底的上方，氧化層、多晶硅柵層、N+摻雜層、P+摻雜層都位于絕緣層和P型阱之間，第一護(hù)層位于金屬層和第二護(hù)層之間，凹槽穿過第一護(hù)層、第二護(hù)層后延伸到金屬層中。本實(shí)用新型可抑制鋁硅接口刺穿的問題，從而不對(duì)功率元件造成損害。