功率MOSFET

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201420736131.1 申請日 -
公開（公告）號 CN204257661U 公開（公告）日 2015-04-08
申請公布號 CN204257661U 申請公布日 2015-04-08
分類號 H01L29/78(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊;陳俊峰;古一夫 申請（專利權(quán)）人 廈門訊揚電子科技有限公司
代理機構(gòu) 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海芯亮電子科技有限公司;廈門訊揚電子科技有限公司
地址 200233 上海市徐匯區(qū)虹漕路461號56幢8層E室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種功率MOSFET，包括襯底、多重終止環(huán)、浮接多晶硅環(huán)、芯片邊界、高溫熱氧化層，多重終止環(huán)位于襯底和高溫熱氧化層之間，浮接多晶硅環(huán)位于高溫熱氧化層上，芯片邊界位于襯底的側(cè)面。本實用新型功率MOSFET能完全消除突波的或瞬時脈沖對組件所可能引起的傷害，即能夠提供組件對突波或瞬時脈沖更佳的防護能力。