分離式元件的制造方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201410714323.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN104465324A | 公開(kāi)(公告)日 | 2015-03-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN104465324A | 申請(qǐng)公布日 | 2015-03-25 |
| 分類號(hào) | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 廖奇泊;陳俊峰;周雯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 廈門(mén)訊揚(yáng)電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 上海芯亮電子科技有限公司;廈門(mén)訊揚(yáng)電子科技有限公司 |
| 地址 | 200233 上海市徐匯區(qū)虹漕路461號(hào)56幢8層E室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種分離式元件的制造方法,包括以下步驟:步驟一,普通研磨方式對(duì)晶圓減薄,將晶圓研磨掉第一部分;步驟二,微細(xì)研磨方式對(duì)晶圓減薄,將晶圓研磨掉第二部分;步驟三,通過(guò)濕式蝕刻方式在步驟二處理好的晶圓上形成均勻表面粗糙度;通過(guò)混合式溶液來(lái)移除細(xì)微的晶背表面的缺陷;步驟四,實(shí)施晶背金屬沉積工藝,在步驟三處理后的晶圓上沉積晶背金屬。本發(fā)明獲得更佳的晶背表面粗糙度的均勻性和降低晶背金屬剝離的風(fēng)險(xiǎn),從而降低生產(chǎn)損失或元件質(zhì)量問(wèn)題。 |





