TVS芯片及其生產(chǎn)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111139076.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114038900A 公開（公告）日 2022-02-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN114038900A 申請(qǐng)公布日 2022-02-11
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 汪良恩;李建利;汪曦凌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 安徽芯旭半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京久誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 翟麗紅
地址 247100安徽省池州市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)鳳凰大道98號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種TVS芯片及其生產(chǎn)方法，涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。本發(fā)明通過(guò)硅襯底清洗后進(jìn)行氧化，形成氧化膜；氧化膜表面涂覆光刻膠，采用光刻的方式將需要擴(kuò)散的區(qū)域氧化膜去除，形成開溝區(qū)；將開溝后的硅襯底放入腐蝕液，形成淺溝；去光刻膠，對(duì)硅襯底進(jìn)行清洗；硅襯底表面附擴(kuò)散源，淺溝內(nèi)被擴(kuò)散，形成外層深結(jié)層；去除氧化膜，并清洗硅襯底；硅襯底表面區(qū)域附上擴(kuò)散源，所有區(qū)域被擴(kuò)散，形成內(nèi)層淺結(jié)層。本發(fā)明因?yàn)閮纱螖U(kuò)散形成了兩個(gè)PN結(jié)層，外層的深結(jié)可以保護(hù)內(nèi)層的淺結(jié)，從而有效加強(qiáng)PN結(jié)保護(hù)和降低晶格缺陷污染的能力，降低漏電流。同時(shí)，通過(guò)淺溝對(duì)擴(kuò)散源進(jìn)行定位，能方便后續(xù)操作，方便生產(chǎn)。