硅片墊片用于雪崩二極管降噪的封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910871850.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110534439B 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN110534439B 申請公布日 2021-08-06
分類號 H01L21/52;H01L23/24;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 辛清樂;張明;王濤;張世權(quán) 申請（專利權(quán)）人 無錫中微晶園電子有限公司
代理機構(gòu) 無錫市大為專利商標事務所（普通合伙） 代理人 曹祖良
地址 214028 江蘇省無錫市新吳區(qū)長江路21號信息產(chǎn)業(yè)園A座203室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種雪崩二極管的封裝方法，具體涉及硅片墊片用于雪崩二極管降噪的封裝方法。本發(fā)明雪崩二極管降噪的封裝方法，包括如下步驟：（a）提供雪崩二極管封裝的管座；（b）在雪崩二極管管座上使用絕緣膠進行硅片墊片的粘接；（c）在硅片基座上使用銀膠進行芯片的粘接；（d）進行鍵合、封帽；其中，步驟（b）中所述硅片墊片的下表面絕緣，上表面導通。本發(fā)明采用契合度更高，價格更便宜的硅片墊片代替陶瓷墊片進行墊接，能夠使整個結(jié)構(gòu)的契合度更高；且硅片墊片的生產(chǎn)工藝簡單，成本較陶瓷墊片而言，有大幅的降低。