對(duì)不合格硅片的處理方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410442477.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104157739B 公開（公告）日 2017-08-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN104157739B 申請(qǐng)公布日 2017-08-15
分類號(hào) H01L31/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許明金;符昌京;鄧清龍;陳耀軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 海南英利新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 海南英利新能源有限公司
地址 570000 海南省?？谑袊腋咝聟^(qū)獅子嶺工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種對(duì)不合格硅片處理的方法，包括：獲取不合格硅片；采用預(yù)設(shè)濃度的氫氟酸溶液浸泡不合格硅片；采用表面腐蝕液，在第一預(yù)設(shè)時(shí)間和第一預(yù)設(shè)溫度的條件下，腐蝕不合格硅片；采用預(yù)設(shè)體積比例的氫氧化鉀溶液清洗不合格硅片；采用預(yù)設(shè)體積比例的氯化氫和氫氟酸溶液，在第二預(yù)設(shè)時(shí)間和第二預(yù)設(shè)溫度的條件下，清洗不合格硅片；對(duì)不合格硅片進(jìn)行擴(kuò)散工藝，使不合格硅片的方阻在預(yù)設(shè)方阻范圍內(nèi)；對(duì)不合格硅片進(jìn)行鍍反射膜工藝，使不合格硅片的反射膜厚度在預(yù)設(shè)厚度范圍內(nèi)。采用本發(fā)明提供的技術(shù)方案，對(duì)在絲網(wǎng)印刷工藝前產(chǎn)生的不合格硅片進(jìn)行處理后，可以再次使用制作太陽能電池片，避免了資源的浪費(fèi)，提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)合格率。