一種基于原子層沉積催化合成單壁碳納米管的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210246950.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114604855A 公開（公告）日 2022-06-10
申請公布號 CN114604855A 申請公布日 2022-06-10
分類號 C01B32/162（2017.01）I;C01B32/159（2017.01）I 分類 無機化學;
發(fā)明人 沈宇棟;王云龍 申請（專利權）人 無錫東恒新能源科技有限公司
代理機構(gòu) 哈爾濱市陽光惠遠知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 -
地址 214000江蘇省無錫市江海西路金山北科技園29-30號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于原子層沉積催化合成單壁碳納米管的方法，屬于化學技術領域。本發(fā)明合成單壁碳納米管的方法，是利用依次沉積有二氧化硅層和金屬單質(zhì)層的鋼帶作為催化劑，并以乙炔作為反應氣進行反應，在鋼帶的表面催化合成得到單壁碳納米管。本發(fā)明方法中催化劑反應充分并且利用率高，基底可以重復使用，連續(xù)生長的單壁碳納米管一致性較好，具有非常好的工業(yè)化前景。