非易失性存儲器芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110578244.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113220240A 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN113220240A 申請公布日 2021-08-06
分類號 G06F3/06（2006.01）I 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 王佩璇;雷冬梅 申請（專利權(quán)）人 普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司
代理機構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王江富
地址 201210上海市浦東新區(qū)盛夏路560號504室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種非易失性存儲器芯片，其包括定時電路、讀寫控制電路、存儲陣列；存儲陣列包括主存儲區(qū)；主存儲區(qū)用于存儲常規(guī)數(shù)據(jù)；定時電路在非易失性存儲器芯片出廠時開始計時，當(dāng)計時時長達到設(shè)定時長，則輸出芯片壽命到期信號到讀寫控制電路；讀寫控制電路當(dāng)接收到定時電路發(fā)來的芯片壽命到期信號，則將主存儲區(qū)中的數(shù)據(jù)讀出并保存，然后對主存儲區(qū)進行擦除操作，再將從主存儲區(qū)中讀出并保存的數(shù)據(jù)重新寫入主存儲區(qū)。該種非易失性存儲器芯片，能有效延長非易失性存儲器芯片的數(shù)據(jù)存儲壽命，提高數(shù)據(jù)安全性，節(jié)省芯片成本。