一種帶隙基準電壓源快速啟動電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911274929.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111142602B 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN111142602B 申請公布日 2021-07-30
分類號 G05F1/567（2006.01）I 分類 控制；調節(jié);
發(fā)明人 李兆桂;陳濤 申請（專利權）人 普冉半導體（上海）股份有限公司
代理機構 上海元好知識產權代理有限公司 代理人 包姝晴;張靜潔
地址 200000上海市浦東新區(qū)盛夏路560號504室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種帶隙基準電壓源快速啟動電路，其中的帶隙基準啟動電路，包含：PMOS管PM1和PM2，NMOS管NM1，耗盡型NMOS管NM2，電流源；管NM1和管NM2的柵極連接有Ponrst信號；Ponrst信號在高電平階段時，管NM1和管NM2開啟，電流源電流Ibias通過管PM1在與管NM1的漏極對應的節(jié)點處產生偏置電壓Pbias_setup，使運算放大器的輸出端所對應的Pbias信號的電壓與偏置電壓Pbias_setup相等。本發(fā)明通過偏置電流源啟動電壓基準源，可消除電壓過沖現(xiàn)象，提升電路的穩(wěn)定性。