納米線器件及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711275119.X 申請日 -
公開（公告）號 CN109888014B 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN109888014B 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉軼群 申請（專利權）人 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
代理機構 北京集佳知識產權代理有限公司 代理人 吳敏
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種納米線器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供襯底，所述襯底上具有前驅層；刻蝕所述前驅層，形成溝道納米線，所述溝道納米線的表面均屬于{111}晶面族。通過對所述溝道納米線表面結構的選擇，為后續(xù)高質量高K柵介質層，甚至單晶結構高K柵介質層的形成提供良好的工藝基礎，進而達到提高高K柵介質層介電常數(shù)和致密度，改善所形成全包圍柵極結構的電學性能的目的。