半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711173965.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109817525B 公開(kāi)（公告）日 2022-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN109817525B 申請(qǐng)公布日 2022-03-22
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李勇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣;吳敏
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，方法包括：提供基底，基底包括第一區(qū)；在所述第一區(qū)基底上形成第一柵極結(jié)構(gòu)和位于第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)基底內(nèi)的第一源漏摻雜區(qū)，所述第一源漏摻雜區(qū)內(nèi)具有第一摻雜離子，所述第一源漏摻雜區(qū)內(nèi)第一摻雜離子具有第一原子百分比濃度；形成第一柵極結(jié)構(gòu)和第一源漏摻雜區(qū)之后，在所述第一源漏摻雜區(qū)頂部形成第一改善層，第一改善層內(nèi)所述第一摻雜離子具有第二原子百分比濃度，且所述第二原子百分比濃度大于第一原子百分比濃度。所述方法形成的半導(dǎo)體器件能夠降低第一源漏摻雜區(qū)與后續(xù)形成的插塞之間接觸電阻的同時(shí)，還能夠抑制短溝道效應(yīng)。