半導體器件及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711463341.2 申請日 -
公開（公告）號 CN109979822B 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN109979822B 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張城龍;涂武濤;王勝 申請（專利權）人 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
代理機構 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 徐文欣;吳敏
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體器件及其形成方法，其中方法包括：在半導體襯底和鰭部上形成介質層，介質層中具有暴露出鰭部的溝槽，溝槽包括暴露出部分鰭部的第一槽區(qū)和暴露出部分鰭部的第二槽區(qū)，自第一槽區(qū)中心至第二槽區(qū)中心的方向垂直于鰭部的延伸方向；在溝槽第一槽區(qū)和第二槽區(qū)的側壁和底部形成位于鰭部上的第一功函數(shù)層；在溝槽第一槽區(qū)中形成第一覆蓋層，第一覆蓋層位于第一槽區(qū)的第一功函數(shù)層上且暴露出第二槽區(qū)的第一功函數(shù)層；以第一覆蓋層為掩膜刻蝕去除第二槽區(qū)的第一功函數(shù)層；刻蝕去除第二槽區(qū)的第一功函數(shù)層后，在溝槽第二槽區(qū)中形成第二覆蓋層；刻蝕去除第二覆蓋層和第一覆蓋層。所述方法提高了半導體器件的性能。