一種建立晶圓形貌OPC模型的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711012988.3 申請日 -
公開（公告）號 CN107844644B 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN107844644B 申請公布日 2021-09-14
分類號 G06F30/3308 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 時雪龍 申請（專利權(quán)）人 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
代理機構(gòu) 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 吳世華;陳慧弘
地址 201210 上海市浦東新區(qū)張江高斯路497號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種建立晶圓形貌OPC模型的方法：S01：將成像系統(tǒng)中的部分相干光分解為獨立的成像核Φi；S02：計算從Φi來的不同的平面波到晶圓表面的入射場；S03：計算Φi在晶圓表面上的反射場；S04：分別計算Φi在晶圓表面上的散射場；其中，晶圓表面發(fā)生散射的地方為散射源，Φi在晶圓表面上的散射場為各個散射源散射光的總和；S05：計算晶圓表面成像系統(tǒng)中的部分相干光在光刻膠中的總光強分布函數(shù)；S06：將上述總光強分布函數(shù)帶入OPC模型中進行待曝光光罩的OPC修正。本發(fā)明提供的計算方法可以準確計算晶圓表面光刻膠中的總光強分布函數(shù)，使得OPC模型精度得到改善，從而提高半導(dǎo)體器件性能和可靠性。