一種半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710861660.2 申請日 -
公開（公告）號 CN109545671B 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN109545671B 申請公布日 2022-03-01
分類號 H01L21/18（2006.01）I;G01L9/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梁凱智 申請（專利權(quán)）人 上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京知元同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉元霞
地址 201800上海市嘉定區(qū)城北路235號3號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制造方法，所述制造方法包括：在第一基片的正面形成傳感器結(jié)構(gòu)和/或電路；在第二基片的正面形成第一凹陷部；所述第一基片的正面與所述第二基片的正面結(jié)合，其中，所述第一基片與所述第一凹陷部圍合成腔體，并且，所述傳感器結(jié)構(gòu)和/或所述電路位于所述腔體的橫向區(qū)域內(nèi)；從所述第一基片的背面減薄所述第一基片，減薄后的所述第一基片成為轉(zhuǎn)移薄膜；以及刻蝕所述轉(zhuǎn)移薄膜，以在所述轉(zhuǎn)移薄膜中形成貫通所述轉(zhuǎn)移薄膜并且與所述腔體連通的貫通部，所述貫通部位于所述傳感器結(jié)構(gòu)和/或所述電路周圍。根據(jù)本申請，能夠充分釋放半導(dǎo)體器件中的應(yīng)力。