一種全橋功率模塊的封裝結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110986037.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113725200A 公開（公告）日 2021-11-30
申請公布號 CN113725200A 申請公布日 2021-11-30
分類號 H01L25/07（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖光朝;張小兵 申請（專利權）人 重慶云潼科技有限公司
代理機構 北京品源專利代理有限公司 代理人 潘登
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坑梓街道秀新社區(qū)寶東路5號協(xié)和廠B區(qū)1號樓401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種全橋功率模塊的封裝結構。全橋功率模塊的封裝結構包括引線框架，引線框架包括上橋基島和下橋基島；第一晶體管組件，第一晶體管組件包括m個間隔設置的第一金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒；第二晶體管組件，第二晶體管組件包括m個第二金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒；m個間隔設置的第一金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒的漏極串聯(lián)電連接；第二金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒的漏極與第一金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒的源極一一對應，且電連接；第二金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒的漏極作為信號輸出端。本發(fā)明達到了減小應用全橋功率模塊的印刷電路板的體積，提高散熱效果。