基于表面改性低溫合成制備氮化硅陶瓷粉體的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811611788.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109437921B 公開（公告）日 2021-08-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN109437921B 申請(qǐng)公布日 2021-08-24
分類號(hào) C04B35/591（2006.01）I;C04B35/622（2006.01）I;C04B35/626（2006.01）I 分類 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
發(fā)明人 張寧;茹紅強(qiáng);茹敬雨 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 沈陽金瓷科技開發(fā)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 沈陽東大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 梁焱
地址 110044遼寧省沈陽市和平區(qū)長白東路27號(hào)（2-17-1）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種基于表面改性低溫合成制備氮化硅陶瓷粉體的方法，包括以下步驟：（1）準(zhǔn)備二氧化硅超細(xì)粉體，氨水，表面活性劑；（2）將二氧化硅超細(xì)粉體、氨水、表面活性劑置于無水乙醇中，形成漿料后繼續(xù)攪拌1～10小時(shí)；（3）過濾后再置于無水乙醇中攪拌，然后二次過濾分離去除液相；（4）在攪拌條件下，連同酚醛樹脂一起加入到無水乙醇中，攪拌形成糊狀體；烘干后研磨；（5）加入氮源混合研磨；（6）置于加熱爐中，在加熱爐內(nèi)氣壓高于大氣壓下升溫至800～1000℃，進(jìn)行氮化合成反應(yīng)；（7）置于電阻爐內(nèi)，在550～650℃條件下除碳。本發(fā)明的方法通過表面改性增加相容性，利用氮源分解產(chǎn)生高活性氨氣，原位發(fā)生碳熱還原反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)低溫合成氮化硅。