原位測試LED芯片附著層導(dǎo)熱率的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210282545.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114674868A 公開（公告）日 2022-06-28
申請公布號 CN114674868A 申請公布日 2022-06-28
分類號 G01N25/20（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 易典;王榮福 申請（專利權(quán)）人 深圳市漢嵙新材料技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 -
地址 518100廣東省深圳市光明新區(qū)公明街道上村社區(qū)冠城低碳產(chǎn)業(yè)園D棟1001
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種原位測試LED芯片附著層導(dǎo)熱率的方法，其包括如下步驟：獲取多個測試工件，獲取各測試工件的截面面積及芯片附著層的厚度；將測試工件置于溫度恒定的環(huán)境下通電，通電時依次向各測試工件施加多個電流值不相同的加熱電流，對應(yīng)獲取施加各電流時測試工件的電功率PE、光功率PL及LED功能主體的溫度Tj，將獲得的數(shù)據(jù)以PE?PL為自變量、以Tj為因變量進行線性擬合，擬合所得直線的斜率為總熱阻Rth；以測試工件中芯片附著層的厚度d為自變量、以各測試工件的總熱阻Rth為因變量進行線性擬合，所得直線的斜率為芯片附著層單位厚度上的熱阻Rs。上述原位測量LED芯片附著層導(dǎo)熱率的方法的測量精度處于5％以內(nèi)，能夠?qū)崿F(xiàn)對于芯片附著層的導(dǎo)熱率的測量。