一種屏蔽柵溝槽式MOSFET及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911226821.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111081779A 公開（公告）日 2020-04-28
申請公布號 CN111081779A 申請公布日 2020-04-28
分類號 H01L29/78;H01L29/45;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 原小明 申請（專利權(quán)）人 南京江智科技有限公司
代理機構(gòu) 上海申匯專利代理有限公司 代理人 南京江智科技有限公司
地址 210000 江蘇省南京市江北新區(qū)惠達路6號北斗大廈9樓902室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種包括ESD鉗位二極管的屏蔽柵溝槽式MOSFET及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的N溝道屏蔽柵溝槽式MOSFET，具有n+摻雜的屏蔽電極，且在制造過程中只需要提供兩次多晶硅層。這使得，當(dāng)通過縮小屏蔽柵的寬度以降低Rds并減小器件尺寸時，不會引起更高的開關(guān)損耗，且不會引起動態(tài)雪崩的不穩(wěn)定性。