一種屏蔽柵溝槽式金屬氧化物半導體場效應管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010757457.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111969059A 公開（公告）日 2020-11-20
申請公布號 CN111969059A 申請公布日 2020-11-20
分類號 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 原小明 申請（專利權(quán)）人 南京江智科技有限公司
代理機構(gòu) 上海申匯專利代理有限公司 代理人 南京江智科技有限公司
地址 210000 江蘇省南京市江北新區(qū)惠達路6號北斗大廈9樓902室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種改進的包含多個溝槽柵的溝槽式半導體功率器件，每個溝槽柵均包括一對分裂柵電極和一個屏蔽柵電極，在相鄰溝槽柵之間形成一個氧化層電荷平衡區(qū)，并在溝槽底部形成結(jié)電荷平衡區(qū)。所述溝槽式半導體功率器件還進一步包括一個超級結(jié)結(jié)構(gòu)，所述超級結(jié)結(jié)構(gòu)包括多個位于襯底之上的、交替排列的P區(qū)和N區(qū)，在氧化層電荷平衡區(qū)下方形成一個結(jié)電荷平衡區(qū)，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可以有效提高擊穿電壓、降低導通電阻。