一種集成箝位二極管的半導(dǎo)體功率器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011000415.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112216691A 公開（公告）日 2021-01-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN112216691A 申請(qǐng)公布日 2021-01-12
分類號(hào) H01L27/02;H01L29/06;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 原小明 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京江智科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申匯專利代理有限公司 代理人 南京江智科技有限公司
地址 210000 江蘇省南京市江北新區(qū)惠達(dá)路6號(hào)北斗大廈9樓902室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種屏蔽柵結(jié)構(gòu)位于有源區(qū)、溝槽式場板終端區(qū)圍繞有源區(qū)周圍的半導(dǎo)體功率器件。連接在漏金屬和源金屬(或柵金屬)之間的齊納二極管，用作SD(或GD)箝位二極管。溝槽式場板終端區(qū)圍繞在有源區(qū)的周圍，其中，僅有芯片陣列的存在并不會(huì)導(dǎo)致集成SD或GD多晶硅箝位二極管時(shí)，擊穿電壓的下降。