短波光學(xué)熱探測(cè)器及其焦平面陣列器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610303257.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105977335B 公開（公告）日 2017-09-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN105977335B 申請(qǐng)公布日 2017-09-29
分類號(hào) H01L31/09(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 賴建軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢光電工業(yè)技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 430075 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號(hào)未來科技城海外人才大樓B4座6樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種短波光學(xué)熱探測(cè)器及其焦平面陣列，所述短波光學(xué)熱探測(cè)器包括電極、電接觸點(diǎn)、光熱探測(cè)結(jié)構(gòu)和襯底，電極的兩端分別與電接觸點(diǎn)和光熱探測(cè)結(jié)構(gòu)連接，所述光熱探測(cè)結(jié)構(gòu)包括熱敏感線和能產(chǎn)生局域表面等離激元共振的導(dǎo)電納粒子。當(dāng)特定波長(zhǎng)的電磁輻射作用于導(dǎo)電納粒子時(shí)產(chǎn)生局部表面等離激元共振而形成熱點(diǎn)，從而引起熱敏感線升溫而導(dǎo)致其電參數(shù)發(fā)生變化，從而實(shí)現(xiàn)探測(cè)器對(duì)特定電磁輻射的探測(cè)。通過調(diào)節(jié)導(dǎo)電納粒子的幾何參數(shù)和組合不同參數(shù)導(dǎo)電納粒子，實(shí)現(xiàn)選擇性光譜輻射探測(cè)和多波段輻射探測(cè)。本發(fā)明的光熱探測(cè)器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，用于實(shí)現(xiàn)低成本短波光學(xué)(紫外、可見光和近紅外)波段探測(cè)器及其焦平面陣列成像器件。