低噪聲雪崩光電探測(cè)器及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610047625.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105576072B 公開(kāi)（公告）日 2018-02-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN105576072B 申請(qǐng)公布日 2018-02-23
分類(lèi)號(hào) H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙彥立 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 武漢光電工業(yè)技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 430075 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)高新大道999號(hào)未來(lái)科技城海外人才大樓B4座6樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種低噪聲雪崩光電探測(cè)器及其制備方法，該低噪聲雪崩光電探測(cè)器包括通過(guò)擴(kuò)散、離子注入依次形成不同摻雜類(lèi)型的N型歐姆接觸層/P型歐姆接觸層、倍增層、電荷層、P型歐姆接觸層/N型歐姆接觸層，且電荷層與P型歐姆接觸層/N型歐姆接觸層之間的底部形成有襯底；所述電荷層、P型歐姆接觸層/N型歐姆接觸層與襯底之間形成一個(gè)倒梯形凹槽；所述倒梯形凹槽內(nèi)形成有吸收層。所述P型歐姆接觸層和N型歐姆接觸層上分別設(shè)有P型電極和N型電極。本發(fā)明的特點(diǎn)是改進(jìn)一維縱向雪崩光電探測(cè)器為二維橫向結(jié)構(gòu)，通過(guò)降低倍增層的有效厚度到納米尺寸，利用納米倍增區(qū)的死區(qū)效應(yīng)降低k值。