高光響應(yīng)近紅外光電探測(cè)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410229544.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104638036B 公開(kāi)（公告）日 2017-11-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN104638036B 申請(qǐng)公布日 2017-11-10
分類(lèi)號(hào) H01L31/0272(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 唐江;冷美英;羅苗;夏哲 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 武漢光電工業(yè)技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 武漢帥丞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 武漢光電工業(yè)技術(shù)研究院有限公司
地址 430074 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)高新大道999號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高光響應(yīng)近紅外光電探測(cè)器，其特征在于：具體結(jié)構(gòu)為透明惰性基底/硒化銻薄膜/電極，其中硒化銻薄膜為經(jīng)過(guò)后硒化處理的硒化銻薄膜；所述后硒化處理為：將硒化銻薄膜在硒氛圍中進(jìn)行退火處理，其中：所述硒氛圍的硒蒸氣分壓為1～10000Pa，退火溫度為150～400℃，處理時(shí)間為5～30min；或在硒化銻薄膜表面沉積一層硒，然后再進(jìn)行退火處理，其中：沉積的硒的厚度為1～500nm，退火溫度為150～400℃，退火時(shí)間為10～60min。本發(fā)明的高光響應(yīng)近紅外光電探測(cè)器的原材料豐富，價(jià)格低廉，工藝簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)、可操作性強(qiáng)，且具有高靈敏度。