一種功率器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110451116.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112992818B 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN112992818B 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 成年斌;袁毅凱;詹洪桂;徐衡基;高文健;楊寧 申請（專利權）人 佛山市國星光電股份有限公司
代理機構 廣東廣盈專利商標事務所（普通合伙） 代理人 李俊
地址 528051廣東省佛山市禪城區(qū)華寶南路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種功率器件及其制作方法，具體涉及到半導體器件領域。功率器件包括結構封裝體、支架板、芯片和散熱體，散熱體包括層疊設置的接觸導電層和高絕緣高導熱層；芯片的底面貼合設置在支架板的頂面上，位于散熱體底面一側的接觸導電層貼合設置在芯片的頂面上；支架板、芯片和散熱體基于結構封裝體封裝，支架板的底面外露于結構封裝體，散熱體的頂面外露于結構封裝體。該功率器件通過在芯片的頂面設置散熱體，可利用散熱體提高封裝器件的散熱效率并提高封裝器件的使用壽命。