化合物半導(dǎo)體霍爾元件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110559427.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113241403A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113241403A 申請(qǐng)公布日 2021-08-10
分類號(hào) H01L43/10（2006.01）I;H01L43/04（2006.01）I;H01L43/06（2006.01）I;H01L43/14（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡雙元;朱忻 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州矩陣光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京畢科銳森知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王靜;王家毅
地址 215600江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)鳳凰科技大道科技園D棟矩陣光電
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的實(shí)施例公開(kāi)了一種化合物半導(dǎo)體霍爾元件。該化合物半導(dǎo)體霍爾元件包括基板、粘結(jié)層、磁感應(yīng)部和電極部。該粘結(jié)層位于基板的表面上。該磁感應(yīng)部通過(guò)粘結(jié)層鍵合到基板上。該電極部位于磁感應(yīng)部的周邊并且與磁感應(yīng)部形成歐姆接觸。該磁感應(yīng)部的遷移率高和方塊電阻高，從而該化合物半導(dǎo)體霍爾元件的靈敏度高和功耗低。