制造化合物半導(dǎo)體霍爾元件的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110559624.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113299824A 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN113299824A 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01L43/14（2006.01）I;H01L43/06（2006.01）I;H01L43/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡雙元;朱忻 申請（專利權(quán)）人 蘇州矩陣光電有限公司
代理機構(gòu) 北京畢科銳森知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王靜;王家毅
地址 215600江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)鳳凰科技大道科技園D棟矩陣光電
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的實施例公開了一種制造化合物半導(dǎo)體霍爾元件的方法。所述方法包括在半導(dǎo)體單晶襯底上外延生長化合物半導(dǎo)體材料膜，作為所述化合物半導(dǎo)體霍爾元件的磁感應(yīng)功能層；在化合物半導(dǎo)體材料膜和基板的至少一個的表面上涂覆粘結(jié)層，并通過粘結(jié)層將化合物半導(dǎo)體材料膜與基板面對面鍵合在一起；選擇性移除半導(dǎo)體單晶襯底和化合物半導(dǎo)體材料膜的一部分，并且通過圖形化工藝來形成磁感應(yīng)部；在磁感應(yīng)部的周邊形成電極部；在磁感應(yīng)部和電極部的至少一部分上形成一保護層并且暴露出電極部的金屬接觸區(qū)域。該磁感應(yīng)部的遷移率高和方塊電阻高，從而該化合物半導(dǎo)體霍爾元件的靈敏度高和功耗低。