一種半導體激光器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910399336.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111952840A 公開（公告）日 2020-11-17
申請公布號 CN111952840A 申請公布日 2020-11-17
分類號 H01S5/187 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權）人 蘇州矩陣光電有限公司
代理機構 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 代理人 蘇州矩陣光電有限公司
地址 215614 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)鳳凰科創(chuàng)園D棟，矩陣光電
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導體激光器及其制備方法，該半導體激光器包括：依次層疊的襯底、發(fā)光層和出光鏡面，襯底具有貫穿的通孔，露出發(fā)光層遠離出光鏡面的第一表面；反射層，設置在襯底的通孔暴露的發(fā)光層的第一表面。本發(fā)明實施例提供的半導體激光器，在襯底上形成有貫穿襯底的通孔，該通孔露出發(fā)光層遠離出光鏡面的第一表面，在發(fā)光層露出的第一表面上沉積有反射層，反射層與出光鏡面共同構成半導體激光器的諧振腔，該半導體激光器反射層為沉積形成，與發(fā)光層的第一表面結合的較為緊密，使得半導體激光器的良率高，解決了現(xiàn)有技術中采用Bonding方式形成反射層不易在大面積晶圓上制作且制作后反射層與發(fā)光層表面結合不夠緊密導致的良率較差的問題。