一種高靈敏度霍爾元件及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011333356.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112397637A | 公開（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申請公布號 | CN112397637A | 申請公布日 | 2021-02-23 |
| 分類號 | H01L43/04(2006.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 不公告發(fā)明人 | 申請（專利權(quán)）人 | 蘇州矩陣光電有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 張樂樂 |
| 地址 | 215614江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)科創(chuàng)園D棟，矩陣光電 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高靈敏度霍爾元件及其制備方法，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中砷化鎵霍爾元件靈敏度偏低的問題，其技術(shù)要點在于包括依次層疊設(shè)置的襯底、功能層、磁性層和位于所述功能層各個角的金屬電極，磁性層位于所述功能層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)表面的中心緊貼設(shè)置。本發(fā)明通過磁性層的作用，使得在磁場中，通過霍爾元件功能區(qū)的磁力線密度大幅增加，放大外界磁感應(yīng)強(qiáng)度，從而同步提升霍爾元件的靈敏度，并且不增加工藝復(fù)雜性和成本。?? |
