MOCVD腔體結(jié)構(gòu)及其控制方法和MOCVD反應(yīng)室

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110665454.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113403609A 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN113403609A 申請公布日 2021-09-17
分類號 C23C16/455（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I;C23C16/46（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 顏建;黃勇 申請（專利權(quán)）人 蘇州矩陣光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京律和信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 謝清萍;劉興
地址 215000江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)鳳凰科創(chuàng)園D棟矩陣光電
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種MOCVD腔體結(jié)構(gòu)及其控制方法和MOCVD反應(yīng)室。MOCVD腔體結(jié)構(gòu)包括：天棚；石墨基座，位于天棚的下方，天棚與石墨基座之間形成氣體流道，石墨基座的上表面設(shè)有多個凹槽，凹槽的側(cè)壁上設(shè)有進(jìn)氣口；多個石墨盤，分別設(shè)置于對應(yīng)的凹槽內(nèi)，進(jìn)氣口位于石墨盤上方；多個蓋板，分別可開閉的設(shè)置于對應(yīng)的石墨盤上方，蓋板關(guān)閉時遮蓋對應(yīng)的石墨盤；第一氣路，穿過天棚連通氣體流道；第二氣路，穿過天棚連通凹槽側(cè)壁上的進(jìn)氣口。本申請的MOCVD腔體結(jié)構(gòu)可用于在一次生長過程中實現(xiàn)多種外延結(jié)構(gòu)的生長，提高研發(fā)的效率。