電吸收調(diào)制器的仿真方法、裝置、系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110232346.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112597735B 公開(kāi)（公告）日 2021-07-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN112597735B 申請(qǐng)公布日 2021-07-20
分類號(hào) G06F30/392;G06F30/394;G06F30/398 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 劉星;李連城;鄭波;孫鼎;張偉;魏志堅(jiān);過(guò)開(kāi)甲 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江西迅特通信技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 晏波
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道長(zhǎng)源社區(qū)學(xué)苑大道1001號(hào)南山智園C3棟701、801
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種電吸收調(diào)制器的仿真方法、裝置、系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，所述方法包括：通過(guò)預(yù)設(shè)仿真軟件擬合出電吸收調(diào)制器的小信號(hào)等效電路模型；根據(jù)預(yù)設(shè)偏置電流，測(cè)試所述電吸收調(diào)制器的P?V特性曲線，并根據(jù)所述P?V特性曲線得到所述電吸收調(diào)制器的非線性行為函數(shù)；根據(jù)所述小信號(hào)等效電路模型和所述非線性行為函數(shù)，對(duì)所述電吸收調(diào)制器進(jìn)行仿真，得到所述電吸收調(diào)制器及其封裝對(duì)應(yīng)的仿真數(shù)據(jù)。本發(fā)明對(duì)電吸收調(diào)制器進(jìn)行仿真時(shí)，考慮電吸收調(diào)制器的非線性行為，可以更加準(zhǔn)確且全面地評(píng)估電吸收調(diào)制器及其封裝后的高頻性能。