一種SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811288687.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109461768A 公開(kāi)（公告）日 2019-03-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN109461768A 申請(qǐng)公布日 2019-03-12
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I; H01L29/872（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I; H01L21/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邵錦文; 侯同曉; 孫致祥; 賈仁需; 元磊; 張秋潔; 劉學(xué)松 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 秦皇島京河科學(xué)技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張曉
地址 066004 河北省秦皇島市市轄區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)數(shù)谷大道2號(hào)數(shù)谷大廈1402-2房間
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管及其制造方法，其中，所述SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管包括：第一導(dǎo)電類型SiC襯底層、低摻雜第一導(dǎo)電類型外延層、高摻雜第一導(dǎo)電類型外延層、多個(gè)第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)，所述第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)的深度大于所述高摻雜第一導(dǎo)電類型外延層的厚度，第一電極和第二電極。本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)調(diào)整表面摻雜濃度，勢(shì)壘寬度減小，使得二極管的勢(shì)壘降低，通過(guò)不同摻雜濃度改變金屬?半導(dǎo)體接觸的有效勢(shì)壘高度，從而減小勢(shì)壘寬度，使得自由程較小的電子也可以穿透勢(shì)壘，正向隧穿電流增大，相當(dāng)于減小了導(dǎo)通電阻，因此可以通過(guò)較小的電壓實(shí)現(xiàn)二極管導(dǎo)通。