一種離子注入角度的監(jiān)測方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010191626.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113496905A 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號 CN113496905A 申請公布日 2021-10-12
分類號 H01L21/66（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 盧合強;劉佑銘;平延磊;吳荘荘 申請（專利權）人 芯恩（青島）集成電路有限公司
代理機構 北京漢之知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 高園園
地址 266555山東省青島市黃島區(qū)中德生態(tài)園團結路2877號ICIC辦公樓4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種離子注入角度的監(jiān)測方法，利用離子注入過程中存在的錐角效應及晶片的溝道效應，將晶片表面經(jīng)過圓心的離子束掃描路徑上的熱波值與離子注入角度及晶片旋轉(zhuǎn)角關聯(lián)起來，通過對具有預設離子注入傾斜角及晶片旋轉(zhuǎn)角的晶片進行離子注入，測量每片晶片表面經(jīng)過圓心的離子束掃描路徑上的熱波值，進而推算出離子注入傾斜角偏差及晶片的晶格偏差，最終達到了有效監(jiān)控離子注入機的離子注入角度準確性的目的。采用本發(fā)明的方法可將監(jiān)測晶片的數(shù)量縮減至四片，大大簡化監(jiān)測過程，降低監(jiān)測成本，同時本發(fā)明不僅排除了晶格偏差的干擾，更將嚴重影響監(jiān)測結果的錐角效應及溝道效應轉(zhuǎn)化為有利條件，從根本上提高了監(jiān)測結果的準確性。