硅基CMOS集成128×128面陣APD傳感器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201621489910.1 申請日 -
公開（公告）號 CN206451711U 公開（公告）日 2017-08-29
申請公布號 CN206451711U 申請公布日 2017-08-29
分類號 H01L27/146(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 路悅新;其他發(fā)明人請求不公開姓名 申請（專利權(quán)）人 哈爾濱伽馬光電科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 150000 黑龍江省哈爾濱市松北區(qū)中源大道15199號企業(yè)加速器4號樓3單元3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種硅基CMOS集成128×128面陣APD傳感器。如圖：利用CMOS標(biāo)準(zhǔn)工藝，在硅基襯底上同時實現(xiàn)128×128陣列APD探測器和CMOS接口電路單片集成，通過合理優(yōu)化的布局，利用三層金屬布線及鈍化工藝，實現(xiàn)APD面陣與CMOS接口電路的有效連接并形成集成化芯片。該器件集成結(jié)構(gòu)不僅能夠有效減小面陣APD傳感器件的尺寸、噪聲及寄生效應(yīng)，同時也有效提高面陣APD的探測效率和速度。