基于半導(dǎo)體集成電路的混合成像探測器芯片及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111157221.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113594193B 公開（公告）日 2022-01-25
申請公布號 CN113594193B 申請公布日 2022-01-25
分類號 H01L27/146（2006.01）I;G01J5/20（2006.01）I;G01J1/42（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉偉;王鵬;郭得福;馬仁旺;段程鵬;歐秦偉 申請（專利權(quán)）人 西安中科立德紅外科技有限公司
代理機構(gòu) 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孟秀娟;黃健
地址 710117陜西省西安市高新區(qū)畢原二路3000號硬科技企業(yè)社區(qū)8幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請實施例提供一種基于半導(dǎo)體集成電路的混合成像探測器芯片及制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該混合成像探測器芯片包括基底、反射層和微橋結(jié)構(gòu)，反射層包括相互絕緣且位于同一層的第一反射層和第二反射層；微橋結(jié)構(gòu)包括第一橋梁、第二橋梁和橋面，橋面的電極層包括相互絕緣設(shè)置的第一電極層和第二電極層。本申請實施例通過使第一電極層與第一反射層和第二反射層中之一連接，第二電極層與第一反射層和第二反射層中另一個連接，使得第一反射層與第一電極層或者第二電極層上電子均衡，第二反射層與第二電極層或者第一電極層上的電子均衡，防止反射層與電極層之間產(chǎn)生靜電吸附作用，進而避免微橋結(jié)構(gòu)發(fā)生坍塌，提高了混合成像探測器芯片的良率。