一種去除TM-SOI頂層硅缺陷的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610025528.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN106981451B | 公開（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106981451B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-07 |
| 分類號(hào) | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 高文琳;柳清超;孫偉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 沈陽硅基科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 沈陽科苑專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 許宗富;周秀梅 |
| 地址 | 110179遼寧省沈陽市沈陽出口加工區(qū)渾南東路15-22號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種去除TM?SOI頂層硅缺陷的方法，屬于SOI制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法是將TM?SOI形成的SOI硅片，采用HCl化學(xué)腐蝕除去薄膜SOI硅片表面的損傷層，與此同時(shí)在高溫低壓的環(huán)境下，對(duì)薄膜SOI頂層硅層中因注入造成的缺陷進(jìn)行了修復(fù)，獲得高質(zhì)量的SOI硅片。應(yīng)用此方法制備的SOI，不僅可以改善表面粗糙度，最重要的是可以修復(fù)SOI的缺陷，制備電特性極佳的SOI材料。?? |
