一種絲裂霉素中Cd、Pb、As、Hg、Co、V、Ni殘留量的檢測(cè)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011439491.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN112763479A 公開(kāi)(公告)日 2021-05-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN112763479A 申請(qǐng)公布日 2021-05-07
分類(lèi)號(hào) G01N1/44(2006.01)I;G01N1/38(2006.01)I;G01N21/73(2006.01)I 分類(lèi) 測(cè)量;測(cè)試;
發(fā)明人 周燕;姜吳斌 申請(qǐng)(專利權(quán))人 無(wú)錫福祈制藥有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京商專潤(rùn)文專利代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 蘇霞
地址 214000江蘇省無(wú)錫市錫山區(qū)蓉洋一路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種絲裂霉素中Cd、Pb、As、Hg、Co、V、Ni殘留量的檢測(cè)方法,包括以下步驟:步驟(1)、線性儲(chǔ)備液和線性溶液的制備;步驟(2)、取絲裂霉素適量于聚四氟乙烯罐中,加硝酸進(jìn)行消解,再加入硝酸溶液溶解制成供試品溶液;步驟(3)、取絲裂霉素適量于聚四氟乙烯罐中,加硝酸進(jìn)行消解,再加入線性儲(chǔ)備液,最后以硝酸溶液溶解制成加標(biāo)供試品溶液;步驟(4)、取線性溶液在電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀中進(jìn)行測(cè)定,記錄譜圖,進(jìn)行線性回歸,獲得回歸方程;步驟(5)、根據(jù)上述步驟(2)、(3)依次對(duì)供試品溶液、加標(biāo)供試品溶液進(jìn)行測(cè)定。??